2SJ652-1E
MOSFET
P-Channel
TO220F
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
28.000 A
RDSon
0.0380 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220F |
| tr - Rise Time | 210 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 470 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 28 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.038 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ652-1E:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ652-1E?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ652-1E incluyen: 2SJ687, 2SJ687-ZK, 2SJ690, 2SJ650, 2SJ651, 2SJ661-1E, 2SJ661-DL-1E, 2SJ661-DL-E, 2SJ673, 2SJ683, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ652-1E?
El 2SJ652-1E es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220F.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ652-1E?
El 2SJ652-1E tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 28.000 A.