2SJ655
MOSFET
P-Channel
TO220ML
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
12.000 A
RDSon
0.1360 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
25.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220ML |
| tr - Rise Time | 95 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 155 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 12 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.136 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SJ655?
El 2SJ655 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220ML.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ655?
El 2SJ655 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 12.000 A.