2SJ656
MOSFET
P-Channel
TO220ML
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
18.000 A
RDSon
0.0755 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220ML |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 18 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.0755 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ656:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ656?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ656 incluyen: 2SJ652.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ656?
El 2SJ656 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220ML.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ656?
El 2SJ656 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 18.000 A.