2SJ665
MOSFET
P-Channel
SMP
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
27.000 A
RDSon
0.0770 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
65.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SMP |
| tr - Rise Time | 150 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 65 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.077 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ665:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ665?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ665 incluyen: 2SJ661.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ665?
El 2SJ665 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SMP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ665?
El 2SJ665 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 27.000 A.