2SJ669
MOSFET
P-Channel
TPS
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.1700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
1.200 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TPS |
| tr - Rise Time | 14 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 90 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.2 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.17 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ669:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ669?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ669 incluyen: 2SJ508, 2SJ509, 2SJ512, 2SJ516, 2SJ525, 2SJ618, 2SJ619, 2SJ620, 2SJ676.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ669?
El 2SJ669 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TPS.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ669?
El 2SJ669 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.