2SJ670
MOSFET
P-Channel
PCP
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
1.500 A
RDSon
0.4100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
3.500 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | PCP |
| tr - Rise Time | 4.5 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 43 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 3.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.41 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ670:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ670?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ670 incluyen: 2SJ306, 2SJ72, 2SJ164, 2SJ598, 2SJ598-Z, 2SJ557.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ670?
El 2SJ670 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado PCP.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ670?
El 2SJ670 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.500 A.