2SJ79
MOSFET
P-Channel
TO220AB
Parametros Principales
Vds Max.
200.000 V
Id Max.
0.500 A
RDSon
50.0000 Ω
Vgs Max.
15.000 V
Potencia Max.
30.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220AB |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 30 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 15 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 200 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 50 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SJ79:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SJ79?
Los reemplazos compatibles para el 2SJ79 incluyen: 2SJ76, 2SJ77, 2SJ78, 2SK1056, 2SK1057, 2SK1058, 2SJ160, 2SJ161, 2SJ162.
¿Que tipo de transistor es el 2SJ79?
El 2SJ79 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220AB.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SJ79?
El 2SJ79 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 200.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.500 A.