2SK1005
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
3.000 A
RDSon
7.0000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
100.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| ton - Turn-on Time | 110 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 100 W |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1005:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1005?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1005 incluyen: 2SK0601, 2SK0615, 2SK066400L, 2SK0664G0L, 2SK066500L, 2SK0665G0L, 2SK1001, 2SK1004, 2SK1006, 2SK1006-01M, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1005?
El 2SK1005 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1005?
El 2SK1005 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 3.000 A.