2SK1007
MOSFET
N-Channel
TO220C
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
1.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
60.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220C |
| tr - Rise Time | 50 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 60 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1007:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1007?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1007 incluyen: 2SK0664G0L, 2SK066500L, 2SK0665G0L, 2SK1001, 2SK1004, 2SK1005, 2SK1006, 2SK1006-01M.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1007?
El 2SK1007 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220C.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1007?
El 2SK1007 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.