2SK1013-01
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
13.000 A
RDSon
0.6000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
125.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| tr - Rise Time | 110 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 180 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 13 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1013-01:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1013-01?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1013-01 incluyen: 2SJ551, 2SJ552, 2SJ553, 2SJ554, 2SJ555, 2SK1000, 2SK1006-01MR, 2SK1007-01, 2SK1017, 2SK1019, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1013-01?
El 2SK1013-01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1013-01?
El 2SK1013-01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 13.000 A.