2SK1016-01

MOSFET N-Channel TO3P

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 15.000 A
RDSon 0.5500 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 125.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO3P
tr - Rise Time 100 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 270 pF
|Id| - Maximum Drain Current 15 A
Pd - Maximum Power Dissipation 125 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.55 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1016-01:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK1016-01?

Los reemplazos compatibles para el 2SK1016-01 incluyen: 2SK1011-01, 2SK1012-01, 2SK1014-01, 2SK1015, 2SK1015-01, 2SK1017-01, 2SK1018, 2SK1020, 2SK1021, 2SK1022, y 2 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2SK1016-01?

El 2SK1016-01 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1016-01?

El 2SK1016-01 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 15.000 A.

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