2SK1029
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.5000 Ω
Potencia Max.
200.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 200 W |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.5 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 2SK1029?
El 2SK1029 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1029?
El 2SK1029 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.