2SK1032
MOSFET
N-Channel
TO3P
Parametros Principales
Vds Max.
800.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
1.7000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3P |
| ton - Turn-on Time | 110 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 280 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 800 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 1.7 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1032:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1032?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1032 incluyen: 2SK1030A, 2SK1032A, 2SK1038, 2SK1039, 2SK1040, 2SK1059-Z, 2SK1060-Z, 2SK1063, 2SK1064.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1032?
El 2SK1032 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1032?
El 2SK1032 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 800.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.