2SK1060-Z
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
5.000 A
RDSon
0.2700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 40 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 250 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 20 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.27 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1060-Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1060-Z?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1060-Z incluyen: 2SK1030A, 2SK1032, 2SK1032A, 2SK1038, 2SK1039, 2SK1040, 2SK1059-Z, 2SK1063, 2SK1064.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1060-Z?
El 2SK1060-Z es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1060-Z?
El 2SK1060-Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 5.000 A.