2SK1099

MOSFET N-Channel TO220AB

Parametros Principales

Vds Max. 500.000 V
Id Max. 10.000 A
RDSon 0.5000 Ω
Vgs Max. 20.000 V
Potencia Max. 80.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO220AB
tr - Rise Time 80 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 200 pF
|Id| - Maximum Drain Current 10 A
Pd - Maximum Power Dissipation 80 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 20 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 500 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 0.5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1099:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2SK1099?

Los reemplazos compatibles para el 2SK1099 incluyen: 2SK1016, 2SK1082, 2SK1086, 2SK1093, 2SK1094, 2SK1095, 2SK1096-MR, 2SK1098-M.

¿Que tipo de transistor es el 2SK1099?

El 2SK1099 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO220AB.

¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1099?

El 2SK1099 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.

Scroll al inicio