2SK1101-01MR
MOSFET
N-Channel
SC67
Parametros Principales
Vds Max.
450.000 V
Id Max.
10.000 A
RDSon
0.6500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
50.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SC67 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 160 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 10 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 50 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 450 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.65 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2SK1101-01MR:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2SK1101-01MR?
Los reemplazos compatibles para el 2SK1101-01MR incluyen: 2SJ154.
¿Que tipo de transistor es el 2SK1101-01MR?
El 2SK1101-01MR es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SC67.
¿Cual es el voltaje maximo del 2SK1101-01MR?
El 2SK1101-01MR tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 450.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 10.000 A.